BSZ036NE2LSATMA1 vs BSZ017NE2LS5IATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSZ036NE2LSATMA1 بذریعہ Infineon اور BSZ017NE2LS5IATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSZ017NE2LS5IATMA1 BSZ017NE2LS5IATMA1 - 25V OptiMOS 5 N-FET, 1.7mΩ TSDSON-8

BSZ017NE2LS5IATMA1 - 25V OptiMOS 5 N-FET, 1.7mΩ TSDSON-8

BSZ017NE2LS5IATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSZ036NE2LSATMA1 BSZ017NE2LS5IATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 25V —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V 25 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 16 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 40 A —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 2.1 W —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 37 W —
پیکیج PG-TSDSON-8-FL (5x6 mm) PG-TSDSON-8-FL (8-PowerTDFN)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Configuration Single —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +150C —
MSL لیول 1 (Unlimited) —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Gate Drive Logic-level compatible —
Polarity — N-Channel
Continuous Drain Current (TA) — 27 A
Continuous Drain Current (TC) — 40 A
On-Resistance RDS(on) @ VGS=10V — 1.7 mΩ
On-Resistance Test Current — 20 A
Gate-Source Voltage (VGS) Rating — ±16 V
Gate Threshold Voltage VGS(th) — 2 V @ 250 µA
Total Gate Charge Qg — 30 nC @ VGS=10V
Input Capacitance Ciss — 2000 pF @ VDS=12V
Power Dissipation (TA) — 2.1 W
Power Dissipation (TC) — 50 W
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -55°C to +150°C
Series / Family — OptiMOS 5 25V

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں