BSZ036NE2LSATMA1 vs BSZ017NE2LS5IATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSZ036NE2LSATMA1 द्वारा Infineon और BSZ017NE2LS5IATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | BSZ036NE2LSATMA1 | BSZ017NE2LS5IATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 25V | — |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | 25 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 16 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 40 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 2.1 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 37 W | — |
| पैकेज | PG-TSDSON-8-FL (5x6 mm) | PG-TSDSON-8-FL (8-PowerTDFN) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Configuration | Single | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55C to +150C | — |
| MSL स्तर | 1 (Unlimited) | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Gate Drive | Logic-level compatible | — |
| Polarity | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (TA) | — | 27 A |
| Continuous Drain Current (TC) | — | 40 A |
| On-Resistance RDS(on) @ VGS=10V | — | 1.7 mΩ |
| On-Resistance Test Current | — | 20 A |
| Gate-Source Voltage (VGS) Rating | — | ±16 V |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | 2 V @ 250 µA |
| Total Gate Charge Qg | — | 30 nC @ VGS=10V |
| Input Capacitance Ciss | — | 2000 pF @ VDS=12V |
| Power Dissipation (TA) | — | 2.1 W |
| Power Dissipation (TC) | — | 50 W |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | — | -55°C to +150°C |
| Series / Family | — | OptiMOS 5 25V |