BSZ036NE2LSATMA1 vs BSZ017NE2LS5IATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của BSZ036NE2LSATMA1 bằng Infineon và BSZ017NE2LS5IATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
BSZ036NE2LSATMA1 - 25V N-Channel OptiMOS Power MOSFET | Infineon
BSZ036NE2LSATMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | BSZ036NE2LSATMA1 | BSZ017NE2LS5IATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 25V | — |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | 25 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 16 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 40 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 2.1 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 37 W | — |
| Hộp | PG-TSDSON-8-FL (5x6 mm) | PG-TSDSON-8-FL (8-PowerTDFN) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Configuration | Single | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55C to +150C | — |
| Cấp MSL | 1 (Unlimited) | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Gate Drive | Logic-level compatible | — |
| Polarity | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (TA) | — | 27 A |
| Continuous Drain Current (TC) | — | 40 A |
| On-Resistance RDS(on) @ VGS=10V | — | 1.7 mΩ |
| On-Resistance Test Current | — | 20 A |
| Gate-Source Voltage (VGS) Rating | — | ±16 V |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | 2 V @ 250 µA |
| Total Gate Charge Qg | — | 30 nC @ VGS=10V |
| Input Capacitance Ciss | — | 2000 pF @ VDS=12V |
| Power Dissipation (TA) | — | 2.1 W |
| Power Dissipation (TC) | — | 50 W |
| Nhiệt độ mối nối hoạt động | — | -55°C to +150°C |
| Series / Family | — | OptiMOS 5 25V |