H5AN8G6NAFR vs H5AN8G6NDJR তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা H5AN8G6NAFR নির্দিষ্ট SK hynix ও H5AN8G6NDJR নির্দিষ্ট SK hynix. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | H5AN8G6NAFR | H5AN8G6NDJR |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | SK hynix | SK hynix |
| ক্যাটাগরি | Memory ICs | Memory ICs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| মেমরি টাইপ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| সংগঠন | 512M x 16 | 512M x 16 |
| সাপ্লাই ভোল্টেজ | 1.2 V | 1.2 V |
| ডেটা রেট | 2400 MT/s | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| প্যাকেজ | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA (13mm x 7.5mm) |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | 0°C to +85°C | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| হ্যালোজেন মুক্ত | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Dynamic ODT | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Maximum Supply Voltage (Vsup) | — | 1.26 V |
| Maximum Operating Temperature | — | 85 °C |
| Burst Length | — | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| CAS লেটেন্সি | — | 22 cycles (at 3200 Mbps) |
| Access Mode | — | Multi Bank Page Burst |
| JESD-30 Code | — | R-PBGA-B96 |
| RoHS | — | Compliant |
| বৈশিষ্ট্য | — | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, data mask, dynamic ODT, ZQ calibration, CRC, write leveling |