H5AN8G6NAFR vs H5AN8G6NDJR Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma H5AN8G6NAFR tarafından SK hynix ve H5AN8G6NDJR tarafından SK hynixAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | H5AN8G6NAFR | H5AN8G6NDJR |
|---|---|---|
| Marka | SK hynix | SK hynix |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Bellek Türü | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| Organizasyon | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Besleme Gerilimi | 1.2 V | 1.2 V |
| Veri Hızı | 2400 MT/s | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| Paket | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA (13mm x 7.5mm) |
| İşletim Sıcaklığı | 0°C to +85°C | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Klorürsüz | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Dynamic ODT | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Maximum Supply Voltage (Vsup) | — | 1.26 V |
| Maximum Operating Temperature | — | 85 °C |
| Burst Length | — | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| CAS Gecikme | — | 22 cycles (at 3200 Mbps) |
| Access Mode | — | Multi Bank Page Burst |
| JESD-30 Code | — | R-PBGA-B96 |
| RoHS | — | Compliant |
| Özellikler | — | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, data mask, dynamic ODT, ZQ calibration, CRC, write leveling |