H5AN8G6NAFR vs H5AN8G6NDJR השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של H5AN8G6NAFR מאת SK hynix ו H5AN8G6NDJR מאת SK hynix. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | H5AN8G6NAFR | H5AN8G6NDJR |
|---|---|---|
| מותג | SK hynix | SK hynix |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| ארגון | 512M x 16 | 512M x 16 |
| מתח אספקה | 1.2 V | 1.2 V |
| קצב נתונים | 2400 MT/s | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| מארז | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA (13mm x 7.5mm) |
| טמפרטורת פעולה | 0°C to +85°C | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| נטול הלוגנים | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Dynamic ODT | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Maximum Supply Voltage (Vsup) | — | 1.26 V |
| Maximum Operating Temperature | — | 85 °C |
| Burst Length | — | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| השהיית CAS | — | 22 cycles (at 3200 Mbps) |
| Access Mode | — | Multi Bank Page Burst |
| JESD-30 Code | — | R-PBGA-B96 |
| RoHS | — | Compliant |
| תכונות | — | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, data mask, dynamic ODT, ZQ calibration, CRC, write leveling |