H5AN8G6NAFR vs H5AN8G6NDJR مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ H5AN8G6NAFR بواسطة SK hynix و H5AN8G6NDJR بواسطة SK hynix. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | H5AN8G6NAFR | H5AN8G6NDJR |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | SK hynix | SK hynix |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| التنظيم | 512M x 16 | 512M x 16 |
| جهد التغذية | 1.2 V | 1.2 V |
| معدل البيانات | 2400 MT/s | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| العلبة | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA (13mm x 7.5mm) |
| درجة حرارة التشغيل | 0°C to +85°C | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| خالٍ من الهالوجين | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Dynamic ODT | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Maximum Supply Voltage (Vsup) | — | 1.26 V |
| Maximum Operating Temperature | — | 85 °C |
| Burst Length | — | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| زمن الوصول CAS | — | 22 cycles (at 3200 Mbps) |
| Access Mode | — | Multi Bank Page Burst |
| JESD-30 Code | — | R-PBGA-B96 |
| RoHS | — | Compliant |
| الميزات | — | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, data mask, dynamic ODT, ZQ calibration, CRC, write leveling |