H5AN8G6NAFR vs H5AN8G6NDJR مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار H5AN8G6NAFR توسط SK hynix و H5AN8G6NDJR توسط SK hynix. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | H5AN8G6NAFR | H5AN8G6NDJR |
|---|---|---|
| برند | SK hynix | SK hynix |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| سازمان | 512M x 16 | 512M x 16 |
| ولتاژ تغذیه | 1.2 V | 1.2 V |
| نرخ داده | 2400 MT/s | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| بسته‌بندی | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA (13mm x 7.5mm) |
| دمای کاری | 0°C to +85°C | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| بدون هالوژن | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Dynamic ODT | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Maximum Supply Voltage (Vsup) | — | 1.26 V |
| Maximum Operating Temperature | — | 85 °C |
| Burst Length | — | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| تأخیر CAS | — | 22 cycles (at 3200 Mbps) |
| Access Mode | — | Multi Bank Page Burst |
| JESD-30 Code | — | R-PBGA-B96 |
| RoHS | — | Compliant |
| ویژگی‌ها | — | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, data mask, dynamic ODT, ZQ calibration, CRC, write leveling |