H5AN8G6NAFR vs H5AN8G6NDJR موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از H5AN8G6NAFR بذریعہ SK hynix اور H5AN8G6NDJR بذریعہ SK hynix. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | H5AN8G6NAFR | H5AN8G6NDJR |
|---|---|---|
| برانڈ | SK hynix | SK hynix |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| میموری ٹائپ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| تنظیم | 512M x 16 | 512M x 16 |
| سپلائی وولٹیج | 1.2 V | 1.2 V |
| ڈیٹا ریٹ | 2400 MT/s | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| پیکیج | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA (13mm x 7.5mm) |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | 0°C to +85°C | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| ہیلوجن فری | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Dynamic ODT | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Maximum Supply Voltage (Vsup) | — | 1.26 V |
| Maximum Operating Temperature | — | 85 °C |
| Burst Length | — | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| CAS لیٹنسی | — | 22 cycles (at 3200 Mbps) |
| Access Mode | — | Multi Bank Page Burst |
| JESD-30 Code | — | R-PBGA-B96 |
| RoHS | — | Compliant |
| خصوصیات | — | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, data mask, dynamic ODT, ZQ calibration, CRC, write leveling |