IAUCN08S7L013ATMA1 vs ISC011N04NM7VATMA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IAUCN08S7L013ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও ISC011N04NM7VATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Infineon
IAUCN08S7L013ATMA1 - 80V N-Channel OptiMOS 7 MOSFET | Infineon
IAUCN08S7L013ATMA1 ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | IAUCN08S7L013ATMA1 | ISC011N04NM7VATMA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 7 | OptiMOS 7 Power-Transistor |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | 40 V |
| Maximum On-Resistance (RDS(on) max) | 1.26 mΩ | — |
| কন্টিনিউয়াস ড্রেইন কারেন্ট (TC=25°C) | [DATA_NEEDED: continuous drain current at TC=25C] | — |
| Continuous Drain Current (TJ) | 293 A | — |
| Power Dissipation (TC) | 219 W | 136 W |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage range] | — |
| Gate Drive Voltage (typical) | 10 V | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | -55 °C to +175 °C | -55 °C to +175 °C (TJ) |
| প্যাকেজ | PG-TDSON-8-53 (TDSON-8 FL) | PG-TDSON-8 (source-down) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL লেভেল | [DATA_NEEDED: MSL rating] | MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Qualification | AEC-Q101 (automotive) | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | — |
| Packaging | Tape & Reel (suffix ATMA1) | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | — | 38 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 256 A |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 1.1 mΩ |
| Power Dissipation (TA) | — | 3 W |
| Gate Threshold Voltage (Vth) | — | Up to 3.2 V |
| Technology | — | Trench MOSFET, silicon |
| Short-Circuit Withstand | — | Yes (current-limited) |
| RoHS Compliance | — | Compliant (per Infineon product page) |