IAUCN08S7L013ATMA1 vs ISC011N04NM7VATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUCN08S7L013ATMA1 tarafından Infineon ve ISC011N04NM7VATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IAUCN08S7L013ATMA1 | ISC011N04NM7VATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 7 | OptiMOS 7 Power-Transistor |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | 40 V |
| Maximum On-Resistance (RDS(on) max) | 1.26 mΩ | — |
| Devamlı Akım Akışı (TC=25°C) | [DATA_NEEDED: continuous drain current at TC=25C] | — |
| Continuous Drain Current (TJ) | 293 A | — |
| Power Dissipation (TC) | 219 W | 136 W |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage range] | — |
| Gate Drive Voltage (typical) | 10 V | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55 °C to +175 °C | -55 °C to +175 °C (TJ) |
| Paket | PG-TDSON-8-53 (TDSON-8 FL) | PG-TDSON-8 (source-down) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL Seviyesi | [DATA_NEEDED: MSL rating] | MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Qualification | AEC-Q101 (automotive) | — |
| RoHS Durumu | Compliant | — |
| Packaging | Tape & Reel (suffix ATMA1) | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | — | 38 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 256 A |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 1.1 mΩ |
| Power Dissipation (TA) | — | 3 W |
| Gate Threshold Voltage (Vth) | — | Up to 3.2 V |
| Technology | — | Trench MOSFET, silicon |
| Short-Circuit Withstand | — | Yes (current-limited) |
| RoHS Compliance | — | Compliant (per Infineon product page) |