IAUCN08S7L013ATMA1 vs ISC011N04NM7VATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IAUCN08S7L013ATMA1 بذریعہ Infineon اور ISC011N04NM7VATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IAUCN08S7L013ATMA1 | ISC011N04NM7VATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 7 | OptiMOS 7 Power-Transistor |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | 40 V |
| Maximum On-Resistance (RDS(on) max) | 1.26 mΩ | — |
| مسلسل ڈرین کرنٹ (TC=25°C) | [DATA_NEEDED: continuous drain current at TC=25C] | — |
| Continuous Drain Current (TJ) | 293 A | — |
| Power Dissipation (TC) | 219 W | 136 W |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage range] | — |
| Gate Drive Voltage (typical) | 10 V | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55 °C to +175 °C | -55 °C to +175 °C (TJ) |
| پیکیج | PG-TDSON-8-53 (TDSON-8 FL) | PG-TDSON-8 (source-down) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL لیول | [DATA_NEEDED: MSL rating] | MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Qualification | AEC-Q101 (automotive) | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | — |
| Packaging | Tape & Reel (suffix ATMA1) | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | — | 38 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 256 A |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 1.1 mΩ |
| Power Dissipation (TA) | — | 3 W |
| Gate Threshold Voltage (Vth) | — | Up to 3.2 V |
| Technology | — | Trench MOSFET, silicon |
| Short-Circuit Withstand | — | Yes (current-limited) |
| RoHS Compliance | — | Compliant (per Infineon product page) |