IAUTN04S7N004ATMA1 vs IAUCN04S7N019GATMA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IAUTN04S7N004ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IAUCN04S7N019GATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
IAUTN04S7N004ATMA1 IAUTN04S7N004ATMA1 - 40V 0.38mΩ 350A OptiMOS 7 | Infineon

IAUTN04S7N004ATMA1 - 40V 0.38mΩ 350A OptiMOS 7 | Infineon

IAUTN04S7N004ATMA1 ✓ সক্রিয়
Infineon
IAUCN04S7N019GATMA1 IAUCN04S7N019GATMA1 - 40V OptiMOS 7 N-FET, 1.95 mOhm SSO4G | Infineon

IAUCN04S7N019GATMA1 - 40V OptiMOS 7 N-FET, 1.95 mOhm SSO4G | Infineon

IAUCN04S7N019GATMA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার IAUTN04S7N004ATMA1 IAUCN04S7N019GATMA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 7 OptiMOS 7
Technology N-Channel Trench MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C [DATA_NEEDED: ID at TC=25C] —
Continuous Drain Current (ID) at Tj 350 A —
On-Resistance RDS(on) max 0.38 mΩ —
Power Dissipation (PD) at TC 255 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] —
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর -55C to +175C [DATA_NEEDED: junction temperature range from datasheet]
প্যাকেজ PG-HSOF-8-8 (TOLL 10x12) PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6 mm)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
Qualification AEC-Q101 Automotive —
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Polarity N-Channel —
ট্রানজিস্টর টাইপ — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID, Tj) — 147 A
On-Resistance RDS(on) typical — 1.95 mOhm
Maximum Power Dissipation (Tc) — 81 W
Substrate Compatibility — IMS substrates and legacy PCB
Automotive Qualification — AEC-Q101 (per family datasheet)
Tape and Reel Packaging — Yes (per ATMA1 suffix)

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট