IAUTN04S7N004ATMA1 vs IAUCN04S7N019GATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IAUTN04S7N004ATMA1 מאת Infineon ו IAUCN04S7N019GATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Infineon
IAUCN04S7N019GATMA1 - 40V OptiMOS 7 N-FET, 1.95 mOhm SSO4G | Infineon
IAUCN04S7N019GATMA1 ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | IAUTN04S7N004ATMA1 | IAUCN04S7N019GATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 7 | OptiMOS 7 |
| Technology | N-Channel Trench MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | [DATA_NEEDED: ID at TC=25C] | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tj | 350 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 0.38 mΩ | — |
| Power Dissipation (PD) at TC | 255 W | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg total] | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55C to +175C | [DATA_NEEDED: junction temperature range from datasheet] |
| מארז | PG-HSOF-8-8 (TOLL 10x12) | PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6 mm) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Qualification | AEC-Q101 Automotive | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Polarity | N-Channel | — |
| סוג טרנזיסטור | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID, Tj) | — | 147 A |
| On-Resistance RDS(on) typical | — | 1.95 mOhm |
| Maximum Power Dissipation (Tc) | — | 81 W |
| Substrate Compatibility | — | IMS substrates and legacy PCB |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 (per family datasheet) |
| Tape and Reel Packaging | — | Yes (per ATMA1 suffix) |