IAUTN04S7N004ATMA1 vs IAUCN04S7N019GATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUTN04S7N004ATMA1 tarafından Infineon ve IAUCN04S7N019GATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
IAUCN04S7N019GATMA1 - 40V OptiMOS 7 N-FET, 1.95 mOhm SSO4G | Infineon
IAUCN04S7N019GATMA1 ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | IAUTN04S7N004ATMA1 | IAUCN04S7N019GATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 7 | OptiMOS 7 |
| Technology | N-Channel Trench MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | [DATA_NEEDED: ID at TC=25C] | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tj | 350 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 0.38 mΩ | — |
| Power Dissipation (PD) at TC | 255 W | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg total] | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55C to +175C | [DATA_NEEDED: junction temperature range from datasheet] |
| Paket | PG-HSOF-8-8 (TOLL 10x12) | PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6 mm) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Qualification | AEC-Q101 Automotive | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Polarity | N-Channel | — |
| Transistor Türü | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID, Tj) | — | 147 A |
| On-Resistance RDS(on) typical | — | 1.95 mOhm |
| Maximum Power Dissipation (Tc) | — | 81 W |
| Substrate Compatibility | — | IMS substrates and legacy PCB |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 (per family datasheet) |
| Tape and Reel Packaging | — | Yes (per ATMA1 suffix) |