IAUTN04S7N004ATMA1 vs IAUCN04S7N019GATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IAUTN04S7N004ATMA1 بذریعہ Infineon اور IAUCN04S7N019GATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IAUTN04S7N004ATMA1 IAUTN04S7N004ATMA1 - 40V 0.38mΩ 350A OptiMOS 7 | Infineon

IAUTN04S7N004ATMA1 - 40V 0.38mΩ 350A OptiMOS 7 | Infineon

IAUTN04S7N004ATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IAUTN04S7N004ATMA1 IAUCN04S7N019GATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 7 OptiMOS 7
Technology N-Channel Trench MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C [DATA_NEEDED: ID at TC=25C] —
Continuous Drain Current (ID) at Tj 350 A —
On-Resistance RDS(on) max 0.38 mΩ —
Power Dissipation (PD) at TC 255 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +175C [DATA_NEEDED: junction temperature range from datasheet]
پیکیج PG-HSOF-8-8 (TOLL 10x12) PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6 mm)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Qualification AEC-Q101 Automotive —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Polarity N-Channel —
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID, Tj) — 147 A
On-Resistance RDS(on) typical — 1.95 mOhm
Maximum Power Dissipation (Tc) — 81 W
Substrate Compatibility — IMS substrates and legacy PCB
Automotive Qualification — AEC-Q101 (per family datasheet)
Tape and Reel Packaging — Yes (per ATMA1 suffix)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں