IAUZ18N10S5L420ATMA1 vs IAUZ40N10S5N130ATMA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IAUZ18N10S5L420ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IAUZ40N10S5N130ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Infineon
IAUZ18N10S5L420ATMA1 - 100V 18A 42mΩ N-Ch OptiMOS 5 | Infineon
IAUZ18N10S5L420ATMA1 ✓ সক্রিয়Infineon
IAUZ40N10S5N130ATMA1 - 100V 40A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
IAUZ40N10S5N130ATMA1 ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | IAUZ18N10S5L420ATMA1 | IAUZ40N10S5N130ATMA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 5 100V | — |
| ট্রানজিস্টর টাইপ | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 18 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 42 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 1.7 V to 2.7 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) typ. | 8.5 nC | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 30 W | — |
| অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা | -55 °C to +175 °C | — |
| প্যাকেজ | PG-TSDSON-8-32 (S3O8) 3.3x3.3 mm | PG-TSDSON-8-33 (S3O8), 3.3 × 3.3 mm |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | AEC-Q101 qualified |
| Technology | OptiMOS 5 trench | OptiMOS 5 (super-junction trench) |
| Configuration | Single with built-in diode | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | — |
| MSL লেভেল | 1 | — |
| Part Number | — | IAUZ40N10S5N130ATMA1 |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | — | 40 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 160 A |
| RDS(on) max at VGS=10V | — | 13 mΩ |
| RDS(on) typical | — | 10 mΩ |
| Maximum Power Dissipation (Tc) | — | 68 W |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | — | -55°C to +175°C (TJ) |
| Lead-Free / RoHS | — | ROHS3 Compliant |