IAUZ18N10S5L420ATMA1 vs IAUZ40N10S5N130ATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IAUZ18N10S5L420ATMA1 द्वारा Infineon और IAUZ40N10S5N130ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
IAUZ18N10S5L420ATMA1 - 100V 18A 42mΩ N-Ch OptiMOS 5 | Infineon
IAUZ18N10S5L420ATMA1 ✓ सक्रियInfineon
IAUZ40N10S5N130ATMA1 - 100V 40A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
IAUZ40N10S5N130ATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | IAUZ18N10S5L420ATMA1 | IAUZ40N10S5N130ATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 5 100V | — |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 18 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 42 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 1.7 V to 2.7 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) typ. | 8.5 nC | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 30 W | — |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | -55 °C to +175 °C | — |
| पैकेज | PG-TSDSON-8-32 (S3O8) 3.3x3.3 mm | PG-TSDSON-8-33 (S3O8), 3.3 × 3.3 mm |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | AEC-Q101 qualified |
| Technology | OptiMOS 5 trench | OptiMOS 5 (super-junction trench) |
| Configuration | Single with built-in diode | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | — |
| MSL स्तर | 1 | — |
| Part Number | — | IAUZ40N10S5N130ATMA1 |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | — | 40 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 160 A |
| RDS(on) max at VGS=10V | — | 13 mΩ |
| RDS(on) typical | — | 10 mΩ |
| Maximum Power Dissipation (Tc) | — | 68 W |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | -55°C to +175°C (TJ) |
| Lead-Free / RoHS | — | ROHS3 Compliant |