IPB081N06L3GATMA1 vs IPD50N06S409ATMA2 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IPB081N06L3GATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IPD50N06S409ATMA2 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Infineon
IPB081N06L3GATMA1 - 60V 50A OptiMOS 3 N-Channel MOSFET | Infineon
IPB081N06L3GATMA1 ✓ সক্রিয়
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | IPB081N06L3GATMA1 | IPD50N06S409ATMA2 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS 3 | — |
| ট্রানজিস্টর টাইপ | N-Channel MOSFET | — |
| প্যাকেজ | PG-TO263-3 (D2PAK) | PG-TO252-3-11 (DPAK) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 50 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current rating] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 1.2 V min, 2.1 V typ, 2.6 V max | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10V | 8.1 mOhm typical | — |
| Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc=25C | 79 W | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | -55 C to +175 C (junction) | — |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| পিনের সংখ্যা | 3 | — |
| Pin Configuration | Gate / Drain / Source (D2PAK standard) | — |
| Technology | OptiMOS 3 (low-voltage power MOSFET) | N-Channel MOSFET (OptiMOS) |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | Compliant |
| MSL লেভেল | 1 (unlimited) | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 50 A |
| On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max at VGS=10V | — | 9 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical] |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | — | 71 W |
| অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা | — | -55 °C to +175 °C |
| পিন সংখ্যা | — | 3 (2 + Tab) |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | [DATA_NEEDED] |