IPB081N06L3GATMA1 vs IPD50N06S409ATMA2 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPB081N06L3GATMA1 tarafından Infineon ve IPD50N06S409ATMA2 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPB081N06L3GATMA1 IPD50N06S409ATMA2
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 3 —
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Paket PG-TO263-3 (D2PAK) PG-TO252-3-11 (DPAK)
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 50 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current rating] —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.2 V min, 2.1 V typ, 2.6 V max [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V 8.1 mOhm typical —
Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 79 W —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 C to +175 C (junction) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Pin Sayısı 3 —
Pin Configuration Gate / Drain / Source (D2PAK standard) —
Technology OptiMOS 3 (low-voltage power MOSFET) N-Channel MOSFET (OptiMOS)
RoHS Durumu Compliant Compliant
MSL Seviyesi 1 (unlimited) —
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 50 A
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max at VGS=10V — 9 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Power Dissipation (Pd) at Tc — 71 W
İşletim Jant Sıcaklığı — -55 °C to +175 °C
Pin Sayısı — 3 (2 + Tab)
Automotive Qualification — AEC-Q101
Lead-Free / Halogen-Free — [DATA_NEEDED]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin