IPB081N06L3GATMA1 vs IPD50N06S409ATMA2 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IPB081N06L3GATMA1 מאת Infineon ו IPD50N06S409ATMA2 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | IPB081N06L3GATMA1 | IPD50N06S409ATMA2 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS 3 | — |
| סוג טרנזיסטור | N-Channel MOSFET | — |
| מארז | PG-TO263-3 (D2PAK) | PG-TO252-3-11 (DPAK) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 50 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current rating] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 1.2 V min, 2.1 V typ, 2.6 V max | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10V | 8.1 mOhm typical | — |
| Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc=25C | 79 W | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55 C to +175 C (junction) | — |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| מספר פינים | 3 | — |
| Pin Configuration | Gate / Drain / Source (D2PAK standard) | — |
| Technology | OptiMOS 3 (low-voltage power MOSFET) | N-Channel MOSFET (OptiMOS) |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| רמת MSL | 1 (unlimited) | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 50 A |
| On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max at VGS=10V | — | 9 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical] |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | — | 71 W |
| טמפרטורת צומת פעולה | — | -55 °C to +175 °C |
| מספר פינים | — | 3 (2 + Tab) |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | [DATA_NEEDED] |