IPD031N06L3GATMA1 vs BSC027N04LSGATMA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IPD031N06L3GATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও BSC027N04LSGATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Infineon
IPD031N06L3GATMA1 - 60V 100A 3.1mΩ N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon
IPD031N06L3GATMA1 ✓ সক্রিয়Infineon
BSC027N04LSGATMA1 - 40V 100A 2.7mΩ OptiMOS 3 N-MOSFET | Infineon
BSC027N04LSGATMA1 ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | IPD031N06L3GATMA1 | BSC027N04LSGATMA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | OptiMOS 3 (Trench) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 100 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 400 A | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 167 W | — |
| RDS(on) Max at VGS=10V | 3.1 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 1.0 V to 2.2 V | — |
| Gate Drive Voltage (Max RDS(on)) | 4.5 V, 10 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) Typ | [DATA_NEEDED: Qg typical value] | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | -55°C to +175°C | -55°C to +150°C |
| প্যাকেজ | PG-TO252-3 (DPAK) | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| Series | OptiMOS 3 | — |
| MSL লেভেল | 1 (Unlimited) | 1 |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS 3 |
| ট্রানজিস্টর টাইপ | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C | — | 24 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | — | 100 A |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 2.7 mΩ |
| Power Dissipation (Ta=25°C) | — | 2.5 W |
| পাওয়ার ডিসিপেশন (TC=25°C) | — | 83 W |
| হ্যালোজেন মুক্ত | — | Yes |