IPD031N06L3GATMA1 vs BSC027N04LSGATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD031N06L3GATMA1 tarafından Infineon ve BSC027N04LSGATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
IPD031N06L3GATMA1 - 60V 100A 3.1mΩ N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon
IPD031N06L3GATMA1 ✓ Aktif
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IPD031N06L3GATMA1 | BSC027N04LSGATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | OptiMOS 3 (Trench) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 100 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 400 A | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 167 W | — |
| RDS(on) Max at VGS=10V | 3.1 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 1.0 V to 2.2 V | — |
| Gate Drive Voltage (Max RDS(on)) | 4.5 V, 10 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) Typ | [DATA_NEEDED: Qg typical value] | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55°C to +175°C | -55°C to +150°C |
| Paket | PG-TO252-3 (DPAK) | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Series | OptiMOS 3 | — |
| MSL Seviyesi | 1 (Unlimited) | 1 |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS 3 |
| Transistor Türü | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C | — | 24 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | — | 100 A |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 2.7 mΩ |
| Power Dissipation (Ta=25°C) | — | 2.5 W |
| Güç Tüketimi (TC=25°C) | — | 83 W |
| Klorürsüz | — | Yes |