IPD031N06L3GATMA1 vs BSC027N04LSGATMA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của IPD031N06L3GATMA1 bằng Infineon và BSC027N04LSGATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IPD031N06L3GATMA1 IPD031N06L3GATMA1 - 60V 100A 3.1mΩ N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

IPD031N06L3GATMA1 - 60V 100A 3.1mΩ N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

IPD031N06L3GATMA1 ✓ Hoạt động
Infineon
BSC027N04LSGATMA1 BSC027N04LSGATMA1 - 40V 100A 2.7mΩ OptiMOS 3 N-MOSFET | Infineon

BSC027N04LSGATMA1 - 40V 100A 2.7mΩ OptiMOS 3 N-MOSFET | Infineon

BSC027N04LSGATMA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IPD031N06L3GATMA1 BSC027N04LSGATMA1
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) OptiMOS 3 (Trench)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 400 A [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25°C 167 W —
RDS(on) Max at VGS=10V 3.1 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.0 V to 2.2 V —
Gate Drive Voltage (Max RDS(on)) 4.5 V, 10 V —
Total Gate Charge (Qg) Typ [DATA_NEEDED: Qg typical value] —
Khoảng nhiệt độ hoạt động -55°C to +175°C -55°C to +150°C
Hộp PG-TO252-3 (DPAK) PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Series OptiMOS 3 —
Cấp MSL 1 (Unlimited) 1
Trạng thái RoHS Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 3
Kiểu transitor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C — 24 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 100 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 2.7 mΩ
Power Dissipation (Ta=25°C) — 2.5 W
Tiêu hao điện năng (TC=25°C) — 83 W
Đông trùng haogen — Yes

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá