IPD320N20N3GATMA1 vs IRL40S212ARMA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IPD320N20N3GATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IRL40S212ARMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Infineon
IPD320N20N3GATMA1 - 200V 34A OptiMOS3 N-Channel MOSFET | Infineon
IPD320N20N3GATMA1 ✓ সক্রিয়
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | IPD320N20N3GATMA1 | IRL40S212ARMA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 3 | StrongIRFET™ (planar N-channel) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 200 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 34 A | 195 A |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 136 W | 231 W |
| On-Resistance RDS(on) max | 32 mOhm at VGS = 10 V | — |
| Gate Charge x RDS(on) FOM | Excellent (per datasheet) | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | -55 C to +175 C (Tj) | [DATA_NEEDED: Tj max] |
| প্যাকেজ | PG-TO252-3 (DPAK) | PG-TO263-3 (D2PAK) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| Lead Plating | Pb-free | — |
| RoHS Compliance | Compliant | — |
| JEDEC Qualification | Qualified for target application | — |
| Channel Mode | Enhancement mode | — |
| Gate Threshold Level | Normal level (per datasheet title) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Family | — | StrongIRFET™ |
| ট্রানজিস্টর টাইপ | — | N-Channel MOSFET |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | 1.9 mOhm max |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] |
| RoHS স্ট্যাটাস | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| MSL লেভেল | — | 1 (unlimited) |