IPD320N20N3GATMA1 vs IRL40S212ARMA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار IPD320N20N3GATMA1 توسط Infineon و IRL40S212ARMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | IPD320N20N3GATMA1 | IRL40S212ARMA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 3 | StrongIRFET™ (planar N-channel) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 200 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 34 A | 195 A |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 136 W | 231 W |
| On-Resistance RDS(on) max | 32 mOhm at VGS = 10 V | — |
| Gate Charge x RDS(on) FOM | Excellent (per datasheet) | — |
| محدوده دمای کاری | -55 C to +175 C (Tj) | [DATA_NEEDED: Tj max] |
| بسته‌بندی | PG-TO252-3 (DPAK) | PG-TO263-3 (D2PAK) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| Lead Plating | Pb-free | — |
| RoHS Compliance | Compliant | — |
| JEDEC Qualification | Qualified for target application | — |
| Channel Mode | Enhancement mode | — |
| Gate Threshold Level | Normal level (per datasheet title) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Family | — | StrongIRFET™ |
| نوع ترانزیستور | — | N-Channel MOSFET |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | 1.9 mOhm max |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] |
| وضعیت RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| سطح MSL | — | 1 (unlimited) |