IPD320N20N3GATMA1 vs IRL40S212ARMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD320N20N3GATMA1 tarafından Infineon ve IRL40S212ARMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
IPD320N20N3GATMA1 - 200V 34A OptiMOS3 N-Channel MOSFET | Infineon
IPD320N20N3GATMA1 ✓ Aktif
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IPD320N20N3GATMA1 | IRL40S212ARMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 3 | StrongIRFET™ (planar N-channel) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 200 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 34 A | 195 A |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 136 W | 231 W |
| On-Resistance RDS(on) max | 32 mOhm at VGS = 10 V | — |
| Gate Charge x RDS(on) FOM | Excellent (per datasheet) | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55 C to +175 C (Tj) | [DATA_NEEDED: Tj max] |
| Paket | PG-TO252-3 (DPAK) | PG-TO263-3 (D2PAK) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Lead Plating | Pb-free | — |
| RoHS Compliance | Compliant | — |
| JEDEC Qualification | Qualified for target application | — |
| Channel Mode | Enhancement mode | — |
| Gate Threshold Level | Normal level (per datasheet title) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Family | — | StrongIRFET™ |
| Transistor Türü | — | N-Channel MOSFET |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | 1.9 mOhm max |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] |
| RoHS Durumu | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| MSL Seviyesi | — | 1 (unlimited) |