IPD320N20N3GATMA1 vs IRL40S212ARMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPD320N20N3GATMA1 بذریعہ Infineon اور IRL40S212ARMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IPD320N20N3GATMA1 | IRL40S212ARMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 3 | StrongIRFET™ (planar N-channel) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 200 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 34 A | 195 A |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 136 W | 231 W |
| On-Resistance RDS(on) max | 32 mOhm at VGS = 10 V | — |
| Gate Charge x RDS(on) FOM | Excellent (per datasheet) | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55 C to +175 C (Tj) | [DATA_NEEDED: Tj max] |
| پیکیج | PG-TO252-3 (DPAK) | PG-TO263-3 (D2PAK) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Lead Plating | Pb-free | — |
| RoHS Compliance | Compliant | — |
| JEDEC Qualification | Qualified for target application | — |
| Channel Mode | Enhancement mode | — |
| Gate Threshold Level | Normal level (per datasheet title) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Family | — | StrongIRFET™ |
| ٹرانزسٹر کی قسم | — | N-Channel MOSFET |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | 1.9 mOhm max |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] |
| RoHS اسٹیٹس | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| MSL لیول | — | 1 (unlimited) |