IPD380P06NMATMA1 vs IRFR5305TRPBF তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IPD380P06NMATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IRFR5305TRPBF নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
IPD380P06NMATMA1 IPD380P06NMATMA1 - 60V P-Ch MOSFET 35A OptiMOS | Infineon

IPD380P06NMATMA1 - 60V P-Ch MOSFET 35A OptiMOS | Infineon

IPD380P06NMATMA1 ✓ সক্রিয়
Infineon
IRFR5305TRPBF IRFR5305TRPBF - 55V P-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR5305TRPBF - 55V P-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR5305TRPBF ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার IPD380P06NMATMA1 IRFR5305TRPBF
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Polarity / Channel Type P-Channel —
Drain-Source Voltage V(BR)DSS 60 V —
কন্টিনিউয়াস ড্রেইন কারেন্ট (TC=25°C) 35 A —
Power Dissipation (Tc) 125 W —
Technology OptiMOS P-channel trench HEXFET (IR MOSFET)
প্যাকেজ PG-TO252-3 (DPAK), surface mount TO-252AA (DPAK)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর -55 C to +150 C (junction) -55 C to +175 C
Gate Drive Logic-level compatible —
Avalanche Rated Yes (per manufacturer datasheet) —
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant (Pb-free PBF suffix)
MSL লেভেল 1 1
Target Applications Reverse-polarity protection, load switch, BMS, high-side switch —
Lead-Free Yes —
Automotive Qualified Not specified in provided data [DATA_NEEDED: AEC-Q100 grade] —
Polarity — P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) Max — -55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 31 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C — [DATA_NEEDED: ID at TC=100C]
On-Resistance (RDS(on)) Max at VGS=-10V — 65 mOhm
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — -2 V to -4 V
Gate Charge (Qg) Typ — [DATA_NEEDED: Qg typ]
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 110 W
Single-Pulse Avalanche Energy (EAS) — 270 mJ
Lead-Free Finish — Yes (PBF suffix)

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট