IPD380P06NMATMA1 vs IRFR5305TRPBF So sánh

So sánh chi tiết song song của IPD380P06NMATMA1 bằng Infineon và IRFR5305TRPBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IPD380P06NMATMA1 IPD380P06NMATMA1 - 60V P-Ch MOSFET 35A OptiMOS | Infineon

IPD380P06NMATMA1 - 60V P-Ch MOSFET 35A OptiMOS | Infineon

IPD380P06NMATMA1 ✓ Hoạt động
Infineon
IRFR5305TRPBF IRFR5305TRPBF - 55V P-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR5305TRPBF - 55V P-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR5305TRPBF ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IPD380P06NMATMA1 IRFR5305TRPBF
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Polarity / Channel Type P-Channel —
Drain-Source Voltage V(BR)DSS 60 V —
Trực流连续电流 (TC=25°C) 35 A —
Power Dissipation (Tc) 125 W —
Technology OptiMOS P-channel trench HEXFET (IR MOSFET)
Hộp PG-TO252-3 (DPAK), surface mount TO-252AA (DPAK)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Khoảng nhiệt độ hoạt động -55 C to +150 C (junction) -55 C to +175 C
Gate Drive Logic-level compatible —
Avalanche Rated Yes (per manufacturer datasheet) —
Trạng thái RoHS Compliant Compliant (Pb-free PBF suffix)
Cấp MSL 1 1
Target Applications Reverse-polarity protection, load switch, BMS, high-side switch —
Lead-Free Yes —
Automotive Qualified Not specified in provided data [DATA_NEEDED: AEC-Q100 grade] —
Polarity — P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) Max — -55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 31 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C — [DATA_NEEDED: ID at TC=100C]
On-Resistance (RDS(on)) Max at VGS=-10V — 65 mOhm
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — -2 V to -4 V
Gate Charge (Qg) Typ — [DATA_NEEDED: Qg typ]
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 110 W
Single-Pulse Avalanche Energy (EAS) — 270 mJ
Lead-Free Finish — Yes (PBF suffix)

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá