IPD60R600PFD7SAUMA1 vs IAUCN10S5L280DATMA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IPD60R600PFD7SAUMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IAUCN10S5L280DATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Infineon
IPD60R600PFD7SAUMA1 - 600V 6A 600mΩ CoolMOS PFD7 MOSFET | Infineon
IPD60R600PFD7SAUMA1 ✓ সক্রিয়Infineon
IAUCN10S5L280DATMA1 - 100V Dual N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
IAUCN10S5L280DATMA1 ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | IPD60R600PFD7SAUMA1 | IAUCN10S5L280DATMA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | CoolMOS PFD7 | — |
| ট্রানজিস্টর টাইপ | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | Superjunction (CoolMOS) | OptiMOS 5 Trench MOSFET |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 600 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D) | 6 A (Tc) | — |
| R_DS(on) Max | 600 mΩ @ V_GS = 10 V, I_D = 1.7 A | — |
| Total Gate Charge (Q_g) | 8.5 nC | — |
| Output Capacitance (C_oss) | 8 pF @ 400 V | — |
| Power Dissipation (P_D) | 31 W (Tc) | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | 3.5 V (typ) | — |
| প্যাকেজ | PG-TO252-3 (DPAK) | PG-TDSON-8-61 (SSO8) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | -55°C to +150°C (Tj) | — |
| MSL লেভেল | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | Compliant |
| Reel Quantity | 2500 | — |
| Product Family | — | OptiMOS 5 |
| Configuration | — | Dual N-Channel MOSFET Array |
| Drain-Source Voltage (Vds) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (Id) at Tj | — | 23 A |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | — | 38 W |
| Automotive Qualified | — | Yes (AEC-Q101, IAU prefix) |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | — | -55C to +175C (junction) |
| পিন সংখ্যা | — | 8 |
| Packing | — | Tape & Reel (T&R) |