IPD60R600PFD7SAUMA1 vs IAUCN10S5L280DATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IPD60R600PFD7SAUMA1 מאת Infineon ו IAUCN10S5L280DATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Infineon
IPD60R600PFD7SAUMA1 - 600V 6A 600mΩ CoolMOS PFD7 MOSFET | Infineon
IPD60R600PFD7SAUMA1 ✓ פעילInfineon
IAUCN10S5L280DATMA1 - 100V Dual N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
IAUCN10S5L280DATMA1 ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | IPD60R600PFD7SAUMA1 | IAUCN10S5L280DATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | CoolMOS PFD7 | — |
| סוג טרנזיסטור | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | Superjunction (CoolMOS) | OptiMOS 5 Trench MOSFET |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 600 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D) | 6 A (Tc) | — |
| R_DS(on) Max | 600 mΩ @ V_GS = 10 V, I_D = 1.7 A | — |
| Total Gate Charge (Q_g) | 8.5 nC | — |
| Output Capacitance (C_oss) | 8 pF @ 400 V | — |
| Power Dissipation (P_D) | 31 W (Tc) | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | 3.5 V (typ) | — |
| מארז | PG-TO252-3 (DPAK) | PG-TDSON-8-61 (SSO8) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| טמפרטורת פעולה | -55°C to +150°C (Tj) | — |
| רמת MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| Reel Quantity | 2500 | — |
| Product Family | — | OptiMOS 5 |
| Configuration | — | Dual N-Channel MOSFET Array |
| Drain-Source Voltage (Vds) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (Id) at Tj | — | 23 A |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | — | 38 W |
| Automotive Qualified | — | Yes (AEC-Q101, IAU prefix) |
| טווח טמפרטורת פעולה | — | -55C to +175C (junction) |
| מספר פינים | — | 8 |
| Packing | — | Tape & Reel (T&R) |