IPL60R180P6AUMA1 vs IPB60R280P7ATMA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IPL60R180P6AUMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IPB60R280P7ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | IPL60R180P6AUMA1 | IPB60R280P7ATMA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| ইউনিট মূল্য (USD) | — | $0.88 |
| Technology | CoolMOS P6 (Superjunction N-channel MOSFET) | Superjunction (SJ) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | -20 V to +20 V (max) | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | 22.4 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM] | — |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max @ VGS=10V | 180 mΩ | — |
| Power Dissipation (Ptot) at Tc=25°C | 176 W | — |
| অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রার পরিসর | -55 °C to +150 °C | — |
| Storage Temperature Range | -55 °C to +150 °C | — |
| Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) | [DATA_NEEDED: RθJC value] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2.5 V to 3.5 V (typical 3.0 V) | — |
| প্যাকেজ | PG-VSON-4 (Thin-PAK) surface mount | PG-TO263-3 (D2PAK) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL (Moisture Sensitivity Level) | MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | CoolMOS P7 (600 V) |
| ট্রানজিস্টর টাইপ | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (V_DSS) | — | 600 V |
| Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) | — | 12 A |
| On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10V) | — | 280 mOhm |
| Gate-Source Threshold V_GS(th) typ | — | 3.5 V |
| Power Dissipation P_D (T_C=25°C) | — | 53 W |
| পিন সংখ্যা | — | 3 (2 + Tab) |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | — | -55 °C to +150 °C (T_j max) |
| Configuration | — | Single N-Channel |
| Generation | — | 7th Gen CoolMOS (successor to P6) |