IPL60R180P6AUMA1 vs IPB60R280P7ATMA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của IPL60R180P6AUMA1 bằng Infineon và IPB60R280P7ATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IPL60R180P6AUMA1 IPL60R180P6AUMA1 - 600V CoolMOS P6 MOSFET 180mΩ | Infineon

IPL60R180P6AUMA1 - 600V CoolMOS P6 MOSFET 180mΩ | Infineon

IPL60R180P6AUMA1 ✓ Hoạt động
Infineon
IPB60R280P7ATMA1 IPB60R280P7ATMA1 - 600V 280mOhm CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPB60R280P7ATMA1 - 600V 280mOhm CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPB60R280P7ATMA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IPL60R180P6AUMA1 IPB60R280P7ATMA1
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Giá đơn vị (USD) — $0,88
Technology CoolMOS P6 (Superjunction N-channel MOSFET) Superjunction (SJ)
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V —
Gate-Source Voltage (VGS) -20 V to +20 V (max) —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 22.4 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max @ VGS=10V 180 mΩ —
Power Dissipation (Ptot) at Tc=25°C 176 W —
Khoảng nhiệt độ mối nối hoạt động -55 °C to +150 °C —
Storage Temperature Range -55 °C to +150 °C —
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) [DATA_NEEDED: RθJC value] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.5 V to 3.5 V (typical 3.0 V) —
Hộp PG-VSON-4 (Thin-PAK) surface mount PG-TO263-3 (D2PAK)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Trạng thái RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — CoolMOS P7 (600 V)
Kiểu transitor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V_DSS) — 600 V
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) — 12 A
On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10V) — 280 mOhm
Gate-Source Threshold V_GS(th) typ — 3.5 V
Power Dissipation P_D (T_C=25°C) — 53 W
Số chân — 3 (2 + Tab)
Khoảng nhiệt độ hoạt động — -55 °C to +150 °C (T_j max)
Configuration — Single N-Channel
Generation — 7th Gen CoolMOS (successor to P6)

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá