IPL60R180P6AUMA1 vs IPB60R280P7ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPL60R180P6AUMA1 tarafından Infineon ve IPB60R280P7ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPL60R180P6AUMA1 IPB60R280P7ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Birim Fiyat (USD) — $0,88
Technology CoolMOS P6 (Superjunction N-channel MOSFET) Superjunction (SJ)
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V —
Gate-Source Voltage (VGS) -20 V to +20 V (max) —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 22.4 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max @ VGS=10V 180 mΩ —
Power Dissipation (Ptot) at Tc=25°C 176 W —
İşletim Jant Sıcaklığı Aralığı -55 °C to +150 °C —
Storage Temperature Range -55 °C to +150 °C —
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) [DATA_NEEDED: RθJC value] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.5 V to 3.5 V (typical 3.0 V) —
Paket PG-VSON-4 (Thin-PAK) surface mount PG-TO263-3 (D2PAK)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — CoolMOS P7 (600 V)
Transistor Türü — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V_DSS) — 600 V
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) — 12 A
On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10V) — 280 mOhm
Gate-Source Threshold V_GS(th) typ — 3.5 V
Power Dissipation P_D (T_C=25°C) — 53 W
Pin Sayısı — 3 (2 + Tab)
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55 °C to +150 °C (T_j max)
Configuration — Single N-Channel
Generation — 7th Gen CoolMOS (successor to P6)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin