IPL60R285P7AUMA1 vs IAUCN08S7L033ATMA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IPL60R285P7AUMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IAUCN08S7L033ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
IPL60R285P7AUMA1 IPL60R285P7AUMA1 - 600V 285mΩ 13A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPL60R285P7AUMA1 - 600V 285mΩ 13A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPL60R285P7AUMA1 ✓ সক্রিয়
Infineon
IAUCN08S7L033ATMA1 IAUCN08S7L033ATMA1 - 80V 3.3mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUCN08S7L033ATMA1 - 80V 3.3mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUCN08S7L033ATMA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার IPL60R285P7AUMA1 IAUCN08S7L033ATMA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS P7 Automotive OptiMOS 7
Technology Superjunction (SJ) N-channel MOSFET OptiMOS 7 trench MOSFET
Drain-to-Source Voltage (V(BR)DSS) 600 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 13 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM value] —
On-State Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V 285 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Total Gate Charge (Qg) typ [DATA_NEEDED: Qg value] —
Output Capacitance (Coss) typ [DATA_NEEDED: Coss value] —
Maximum Power Dissition (PD) at Tc=25C 59 W —
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর -55C to +150C (junction) -55°C to +175°C (TJ)
প্যাকেজ / কেস PG-VSON-4 (surface mount) —
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
Configuration Single N-channel, 4 pins (Gate, Drain, Source, Tab) —
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant
Gate ESD Protection Integrated —
MSL লেভেল 1 (per Infineon PG-VSON-4 family) 1 (per JEDEC J-STD-020, typical for this package)
ট্রানজিস্টর টাইপ — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Maximum On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 3.3 mΩ
Continuous Drain Current (ID) at Tj — 130 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=25C]
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C — 118 W
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V (typical Infineon OptiMOS 7 limit)
প্যাকেজ — PG-TDSON-8-34 (SSO8, 5x6 mm²)
Qualification — Automotive Grade (per Infineon datasheet header)

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট