IPL60R285P7AUMA1 vs IAUCN08S7L033ATMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPL60R285P7AUMA1 द्वारा Infineon और IAUCN08S7L033ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IPL60R285P7AUMA1 IPL60R285P7AUMA1 - 600V 285mΩ 13A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPL60R285P7AUMA1 - 600V 285mΩ 13A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPL60R285P7AUMA1 ✓ सक्रिय
Infineon
IAUCN08S7L033ATMA1 IAUCN08S7L033ATMA1 - 80V 3.3mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUCN08S7L033ATMA1 - 80V 3.3mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUCN08S7L033ATMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IPL60R285P7AUMA1 IAUCN08S7L033ATMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS P7 Automotive OptiMOS 7
Technology Superjunction (SJ) N-channel MOSFET OptiMOS 7 trench MOSFET
Drain-to-Source Voltage (V(BR)DSS) 600 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 13 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM value] —
On-State Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V 285 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Total Gate Charge (Qg) typ [DATA_NEEDED: Qg value] —
Output Capacitance (Coss) typ [DATA_NEEDED: Coss value] —
Maximum Power Dissition (PD) at Tc=25C 59 W —
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -55C to +150C (junction) -55°C to +175°C (TJ)
पैकेज / केस PG-VSON-4 (surface mount) —
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Configuration Single N-channel, 4 pins (Gate, Drain, Source, Tab) —
RoHS स्थिति Compliant Compliant
Gate ESD Protection Integrated —
MSL स्तर 1 (per Infineon PG-VSON-4 family) 1 (per JEDEC J-STD-020, typical for this package)
ट्रांज़िस्टर प्रकार — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Maximum On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 3.3 mΩ
Continuous Drain Current (ID) at Tj — 130 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=25C]
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C — 118 W
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V (typical Infineon OptiMOS 7 limit)
पैकेज — PG-TDSON-8-34 (SSO8, 5x6 mm²)
Qualification — Automotive Grade (per Infineon datasheet header)

डेटाशीट और संसाधन

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