IPP022N12NM6AKSA1 vs IRFB4110PBF তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IPP022N12NM6AKSA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IRFB4110PBF নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | IPP022N12NM6AKSA1 | IRFB4110PBF |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| স্টক স্ট্যাটাস | — | In Stock |
| ইউনিট মূল্য (USD) | — | $1.55 |
| Technology | OptiMOS 6 (N-channel trench MOSFET) | HEXFET (planar DMOS) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 120 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | 29 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25°C | 203 A | — |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max | 2.2 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typical value] | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25°C | 3.8 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 395 W | 370 W |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | -55°C to +175°C | — |
| প্যাকেজ | PG-TO220-3-1 (TO-220 through-hole) | TO-220AB (through-hole) |
| মাউন্টিং টাইপ | Through Hole | Through Hole |
| পিন সংখ্যা | 3 (Gate, Drain, Source) | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | Compliant (Pb-free suffix) |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| ট্রানজিস্টর টাইপ | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 120 A (bond-wire limited) |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 4.5 mΩ |
| On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V | — | 3.7 mΩ |
| অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা | — | -55 °C to +175 °C |
| Lead-Free | — | Yes (PBF suffix denotes Pb-free) |