IPP022N12NM6AKSA1 vs IRFB4110PBF Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPP022N12NM6AKSA1 tarafından Infineon ve IRFB4110PBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IPP022N12NM6AKSA1 | IRFB4110PBF |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Stok Durumu | — | In Stock |
| Birim Fiyat (USD) | — | $1,55 |
| Technology | OptiMOS 6 (N-channel trench MOSFET) | HEXFET (planar DMOS) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 120 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | 29 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25°C | 203 A | — |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max | 2.2 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typical value] | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25°C | 3.8 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 395 W | 370 W |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55°C to +175°C | — |
| Paket | PG-TO220-3-1 (TO-220 through-hole) | TO-220AB (through-hole) |
| Montaj Türü | Through Hole | Through Hole |
| Pin Sayısı | 3 (Gate, Drain, Source) | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant (Pb-free suffix) |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Transistor Türü | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 120 A (bond-wire limited) |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 4.5 mΩ |
| On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V | — | 3.7 mΩ |
| İşletim Jant Sıcaklığı | — | -55 °C to +175 °C |
| Lead-Free | — | Yes (PBF suffix denotes Pb-free) |