IPP075N15N3GXKSA1 vs IPP037N08N3GXKSA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IPP075N15N3GXKSA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IPP037N08N3GXKSA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Infineon
IPP075N15N3GXKSA1 - 150V 100A OptiMOS 3 Power MOSFET | Infineon
IPP075N15N3GXKSA1 ✓ সক্রিয়
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | IPP075N15N3GXKSA1 | IPP037N08N3GXKSA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 3 | — |
| Technology | N-Channel MOSFET (OptiMOS 3) | MOSFET (Metal Oxide) - OptiMOS™ 3 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 150 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | 100 A | — |
| Power Dissipation (PD, Tc=25C) | 300 W | — |
| On-State Resistance (RDS(on) max, VGS=10V) | 7.5 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: gate-source voltage absolute max] | — |
| প্যাকেজ | PG-TO220-3 (TO-220 through-hole) | PG-TO220-3 (Through Hole) |
| মাউন্টিং টাইপ | Through Hole | Through Hole |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | [DATA_NEEDED: junction operating temperature range] | -55°C to +175°C (junction) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | [DATA_NEEDED: Qg typ @ VGS=10V] |
| Lead-Free / RoHS | RoHS Compliant | — |
| Ordering Code Suffix | GXKSA1 (Tube pack, RoHS compliant) | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25°C | — | 100 A |
| RDS(on) Max @ VGS=10V | — | 3.75 mΩ |
| Drive Voltage (Max RDS(on), Min RDS(on)) | — | 6 V, 10 V |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc=25°C | — | 214 W |
| পিন সংখ্যা | — | 3 |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | — | [DATA_NEEDED: Vgs(th) typ/min/max] |
| Avalanche Energy Rating (EAS) | — | [DATA_NEEDED: EAS] |
| RoHS স্ট্যাটাস | — | Compliant |