IPP075N15N3GXKSA1 vs IPP037N08N3GXKSA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPP075N15N3GXKSA1 tarafından Infineon ve IPP037N08N3GXKSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IPP075N15N3GXKSA1 | IPP037N08N3GXKSA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 3 | — |
| Technology | N-Channel MOSFET (OptiMOS 3) | MOSFET (Metal Oxide) - OptiMOS™ 3 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 150 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | 100 A | — |
| Power Dissipation (PD, Tc=25C) | 300 W | — |
| On-State Resistance (RDS(on) max, VGS=10V) | 7.5 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: gate-source voltage absolute max] | — |
| Paket | PG-TO220-3 (TO-220 through-hole) | PG-TO220-3 (Through Hole) |
| Montaj Türü | Through Hole | Through Hole |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | [DATA_NEEDED: junction operating temperature range] | -55°C to +175°C (junction) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | [DATA_NEEDED: Qg typ @ VGS=10V] |
| Lead-Free / RoHS | RoHS Compliant | — |
| Ordering Code Suffix | GXKSA1 (Tube pack, RoHS compliant) | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25°C | — | 100 A |
| RDS(on) Max @ VGS=10V | — | 3.75 mΩ |
| Drive Voltage (Max RDS(on), Min RDS(on)) | — | 6 V, 10 V |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc=25°C | — | 214 W |
| Pin Sayısı | — | 3 |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | — | [DATA_NEEDED: Vgs(th) typ/min/max] |
| Avalanche Energy Rating (EAS) | — | [DATA_NEEDED: EAS] |
| RoHS Durumu | — | Compliant |