IPT015N10NF2SATMA1 vs IPB020N08N5ATMA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IPT015N10NF2SATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IPB020N08N5ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Infineon
IPT015N10NF2SATMA1 - 100V 315A 1.5mΩ OptiMOS MOSFET | Infineon
IPT015N10NF2SATMA1 ✓ সক্রিয়
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | IPT015N10NF2SATMA1 | IPB020N08N5ATMA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 315 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | 35 A | — |
| On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | 1.5 mΩ | — |
| Gate-Source Threshold (VGS(th)) | 3.8 V at 267 µA | — |
| Total Power Dissipation (Ta) | 3.8 W | — |
| Total Power Dissipation (Tc) | 300 W | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | -55 °C to +175 °C | — |
| প্যাকেজ | PG-HSOF-8-10 (9-pin, 8+tab) | PG-TO263-3 (D2PAK-2) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS trench, N-channel enhancement | OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) |
| Gate Drive Voltage (typ) | 10 V | — |
| সিঙ্গেল পালস অ্যাভালাঞ্চ এনার্জি | [DATA_NEEDED: EAS value] | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | Compliant |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 120 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 480 A |
| Maximum RDS(on) at VGS=10V | — | 2.0 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | +/- 20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg value] |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 300 W |
| অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা | — | -55C to +175C |
| Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) | — | [DATA_NEEDED: RthJC value, approx 0.5 C/W] |
| Avalanche Energy Rated (EAS) | — | [DATA_NEEDED: EAS value] |
| Configuration | — | Single N-channel, 3-pin (2+Tab) |
| MSL লেভেল | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |