IPT015N10NF2SATMA1 vs IPB020N08N5ATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPT015N10NF2SATMA1 द्वारा Infineon और IPB020N08N5ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPT015N10NF2SATMA1 | IPB020N08N5ATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 315 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | 35 A | — |
| On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | 1.5 mΩ | — |
| Gate-Source Threshold (VGS(th)) | 3.8 V at 267 µA | — |
| Total Power Dissipation (Ta) | 3.8 W | — |
| Total Power Dissipation (Tc) | 300 W | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55 °C to +175 °C | — |
| पैकेज | PG-HSOF-8-10 (9-pin, 8+tab) | PG-TO263-3 (D2PAK-2) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS trench, N-channel enhancement | OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) |
| Gate Drive Voltage (typ) | 10 V | — |
| सिंगल पल्स एवलांच एनर्जी | [DATA_NEEDED: EAS value] | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 120 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 480 A |
| Maximum RDS(on) at VGS=10V | — | 2.0 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | +/- 20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg value] |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 300 W |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | — | -55C to +175C |
| Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) | — | [DATA_NEEDED: RthJC value, approx 0.5 C/W] |
| Avalanche Energy Rated (EAS) | — | [DATA_NEEDED: EAS value] |
| Configuration | — | Single N-channel, 3-pin (2+Tab) |
| MSL स्तर | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |