IPT015N10NF2SATMA1 vs IPB020N08N5ATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IPT015N10NF2SATMA1 מאת Infineon ו IPB020N08N5ATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | IPT015N10NF2SATMA1 | IPB020N08N5ATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 315 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | 35 A | — |
| On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | 1.5 mΩ | — |
| Gate-Source Threshold (VGS(th)) | 3.8 V at 267 µA | — |
| Total Power Dissipation (Ta) | 3.8 W | — |
| Total Power Dissipation (Tc) | 300 W | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55 °C to +175 °C | — |
| מארז | PG-HSOF-8-10 (9-pin, 8+tab) | PG-TO263-3 (D2PAK-2) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS trench, N-channel enhancement | OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) |
| Gate Drive Voltage (typ) | 10 V | — |
| אנרגיית מפולת בפולס בודד | [DATA_NEEDED: EAS value] | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 120 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 480 A |
| Maximum RDS(on) at VGS=10V | — | 2.0 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | +/- 20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg value] |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 300 W |
| טמפרטורת צומת פעולה | — | -55C to +175C |
| Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) | — | [DATA_NEEDED: RthJC value, approx 0.5 C/W] |
| Avalanche Energy Rated (EAS) | — | [DATA_NEEDED: EAS value] |
| Configuration | — | Single N-channel, 3-pin (2+Tab) |
| רמת MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |