IPT60R050G7XTMA1 vs ISZ230N10NM6ATMA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IPT60R050G7XTMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও ISZ230N10NM6ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
IPT60R050G7XTMA1 IPT60R050G7XTMA1 - 600V 44A 50mΩ CoolMOS G7 MOSFET | Infineon

IPT60R050G7XTMA1 - 600V 44A 50mΩ CoolMOS G7 MOSFET | Infineon

IPT60R050G7XTMA1 ✓ সক্রিয়
Infineon
ISZ230N10NM6ATMA1 ISZ230N10NM6ATMA1 - 100V 31A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISZ230N10NM6ATMA1 - 100V 31A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISZ230N10NM6ATMA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার IPT60R050G7XTMA1 ISZ230N10NM6ATMA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Manufacturer Infineon Technologies —
Series CoolMOS G7 (C7 Gold) —
Technology Superjunction N-Channel MOSFET OptiMOS 6 trench MOSFET
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (Vdss) 600 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C 44 A —
Drain-Source On-Resistance (Rds(on)) max 50 mOhm —
Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 245 W —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th) value] —
Gate Charge (Qg) typ [DATA_NEEDED: Qg typ value] —
প্যাকেজ PG-HSOF-8-2 (TO-Leadless / TOLL) PG-TSDSON-8 FL (3.3 x 3.3 mm)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর -55C to +150C -55 °C to +150 °C (junction)
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant
Kelvin Source Pin Yes (pin 8) —
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (Ta) — 7.7 A
Continuous Drain Current (Tc) — 31 A
Power Dissipation (Ta) — 3 W
Power Dissipation (Tc) — 48 W
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V — 23 mΩ (typ, ID=10A)
Gate Threshold Voltage VGS(th) — 3.3 V (typ at 13 µA)
Gate Drive Voltage (recommended) — 10 V
MSL লেভেল — MSL1 (per JEDEC J-STD-020)
Family — OptiMOS 6 (100V class)

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট