IPT60R050G7XTMA1 vs ISZ230N10NM6ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPT60R050G7XTMA1 بذریعہ Infineon اور ISZ230N10NM6ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
ISZ230N10NM6ATMA1 ISZ230N10NM6ATMA1 - 100V 31A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISZ230N10NM6ATMA1 - 100V 31A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISZ230N10NM6ATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPT60R050G7XTMA1 ISZ230N10NM6ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Series CoolMOS G7 (C7 Gold) —
Technology Superjunction N-Channel MOSFET OptiMOS 6 trench MOSFET
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (Vdss) 600 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C 44 A —
Drain-Source On-Resistance (Rds(on)) max 50 mOhm —
Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 245 W —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th) value] —
Gate Charge (Qg) typ [DATA_NEEDED: Qg typ value] —
پیکیج PG-HSOF-8-2 (TO-Leadless / TOLL) PG-TSDSON-8 FL (3.3 x 3.3 mm)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +150C -55 °C to +150 °C (junction)
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Kelvin Source Pin Yes (pin 8) —
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (Ta) — 7.7 A
Continuous Drain Current (Tc) — 31 A
Power Dissipation (Ta) — 3 W
Power Dissipation (Tc) — 48 W
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V — 23 mΩ (typ, ID=10A)
Gate Threshold Voltage VGS(th) — 3.3 V (typ at 13 µA)
Gate Drive Voltage (recommended) — 10 V
MSL لیول — MSL1 (per JEDEC J-STD-020)
Family — OptiMOS 6 (100V class)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں