IPT60R050G7XTMA1 vs ISZ230N10NM6ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPT60R050G7XTMA1 tarafından Infineon ve ISZ230N10NM6ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IPT60R050G7XTMA1 | ISZ230N10NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | CoolMOS G7 (C7 Gold) | — |
| Technology | Superjunction N-Channel MOSFET | OptiMOS 6 trench MOSFET |
| Polarity | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | 600 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C | 44 A | — |
| Drain-Source On-Resistance (Rds(on)) max | 50 mOhm | — |
| Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc=25C | 245 W | — |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | [DATA_NEEDED: Vgs(th) value] | — |
| Gate Charge (Qg) typ | [DATA_NEEDED: Qg typ value] | — |
| Paket | PG-HSOF-8-2 (TO-Leadless / TOLL) | PG-TSDSON-8 FL (3.3 x 3.3 mm) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55C to +150C | -55 °C to +150 °C (junction) |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Kelvin Source Pin | Yes (pin 8) | — |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (Ta) | — | 7.7 A |
| Continuous Drain Current (Tc) | — | 31 A |
| Power Dissipation (Ta) | — | 3 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 48 W |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10V | — | 23 mΩ (typ, ID=10A) |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | 3.3 V (typ at 13 µA) |
| Gate Drive Voltage (recommended) | — | 10 V |
| MSL Seviyesi | — | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Family | — | OptiMOS 6 (100V class) |