IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 vs IAUS260N10S5N019TATMA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IAUS260N10S5N019TATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 - 25V N-Ch 0.29mΩ MOSFET | Infineon

IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 - 25V N-Ch 0.29mΩ MOSFET | Infineon

IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 ✓ সক্রিয়
Infineon
IAUS260N10S5N019TATMA1 IAUS260N10S5N019TATMA1 - 100V 260A 1.9mΩ OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUS260N10S5N019TATMA1 - 100V 260A 1.9mΩ OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUS260N10S5N019TATMA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 IAUS260N10S5N019TATMA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 5 Power-Transistor OptiMOS 5 trench-gate
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V —
Continuous Drain Current (Ta) 75 A —
Continuous Drain Current (Tc) 789 A —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 278 W —
Maximum On-Resistance RDS(on) 0.29 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) 2 V (typ) —
প্যাকেজ PG-WHTFN-9-U02 (WHTFN EP) PG-HDSOP-16-2 (TOLT, topside-cooled)
পিন সংখ্যা 9 16
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
Cooling Dual-side exposed pad (top + bottom) —
MSL লেভেল [DATA_NEEDED: MSL rating] —
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Series — OptiMOS 5
ট্রানজিস্টর টাইপ — N-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (Vds) — 100 V
Continuous Drain Current (Id) — 260 A (Tj)
On-State Resistance (Rds(on)) — 1.9 mΩ (typical, 10 V Vgs)
Power Dissipation (Pd) — 300 W (Tc)
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর — -55 C to +175 C (Tj)
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) value]
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg value]
Automotive Qualified — Yes (IAUS prefix denotes automotive grade)

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট