IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 vs IQD020N10NM5CGATMA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IQD020N10NM5CGATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Infineon
IQD020N10NM5CGATMA1 - 100V 2.0mΩ OptiMOS™ 5 N-MOSFET | Infineon
IQD020N10NM5CGATMA1 ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 | IQD020N10NM5CGATMA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 5 Power-Transistor | OptiMOS™ 5 N-channel trench MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (Ta) | 75 A | — |
| Continuous Drain Current (Tc) | 789 A | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 278 W | — |
| Maximum On-Resistance RDS(on) | 0.29 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | 2 V (typ) | — |
| প্যাকেজ | PG-WHTFN-9-U02 (WHTFN EP) | PG-TTFN-9-U02 (PQFN 5x6 mm²) |
| পিন সংখ্যা | 9 | — |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| Cooling | Dual-side exposed pad (top + bottom) | — |
| MSL লেভেল | [DATA_NEEDED: MSL rating] | [DATA_NEEDED: MSL rating from datasheet] |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | Compliant |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | — | 26 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | [DATA_NEEDED: ID at TC=25°C from datasheet curve] |
| Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25°C | — | 273 A |
| Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max | — | 2.0 mΩ (at VGS=10V) |
| Power Dissipation (TA) | — | 3 W |
| Power Dissipation (TC) | — | 333 W |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | — | -55°C to +175°C |
| Qualification | — | Industrial grade (Infineon OptiMOS™ 5 family) |