IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 vs IQD020N10NM5CGATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 द्वारा Infineon और IQD020N10NM5CGATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
IQD020N10NM5CGATMA1 - 100V 2.0mΩ OptiMOS™ 5 N-MOSFET | Infineon
IQD020N10NM5CGATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 | IQD020N10NM5CGATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 5 Power-Transistor | OptiMOS™ 5 N-channel trench MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (Ta) | 75 A | — |
| Continuous Drain Current (Tc) | 789 A | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 278 W | — |
| Maximum On-Resistance RDS(on) | 0.29 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | 2 V (typ) | — |
| पैकेज | PG-WHTFN-9-U02 (WHTFN EP) | PG-TTFN-9-U02 (PQFN 5x6 mm²) |
| पिन काउंट | 9 | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Cooling | Dual-side exposed pad (top + bottom) | — |
| MSL स्तर | [DATA_NEEDED: MSL rating] | [DATA_NEEDED: MSL rating from datasheet] |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | — | 26 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | [DATA_NEEDED: ID at TC=25°C from datasheet curve] |
| Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25°C | — | 273 A |
| Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max | — | 2.0 mΩ (at VGS=10V) |
| Power Dissipation (TA) | — | 3 W |
| Power Dissipation (TC) | — | 333 W |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | -55°C to +175°C |
| Qualification | — | Industrial grade (Infineon OptiMOS™ 5 family) |